研制出65型接触式光刻机。1970年代,中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。1972年,武汉无线电元件三厂编写了行业生产指导《光刻掩模版的制造》。1980年清华大学研制成功第四代分,光刻精度达到3微米,接近国际主流水平。1981年,上海光学机械厂的研制的JKG-3型光刻机通过鉴定与设计定型。第四十五所于1985年成功研制BG-101步进式光刻机,并通过了技术鉴定,性能指标接近美国GCA公司4800DSW系统的水平。
这是中国半导体领域追赶美国最好的时代,只可惜,80年代中后期,各大科研机构经费不足,企业则急于求成,“造不如买,买不如租”,不愿花力气去去做开发,以至于中国的半导体技术远远落后欧美日韩,经常被人卡脖子威胁。
中国半导体的发展,不是一个人的事情,哪怕是重生回来的赵烨,也感到十分棘手。
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