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第一百八十五章:N-漂移层(1 / 4)

高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求。

对于他来说,目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了。

而且他用的技术也并非纯正的离子注入,正如之前有弹幕说的。

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